研調：記憶體明年資本支出仍顯保守 ！ 位元產出成長挹注有限

TrendForce調查顯示，隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升，供應商獲利也有所增加之下，DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續上漲，但對於2026年的位元產出成長的挹注有限。DRAM和NAND Flash產業的投資重心正逐漸轉變，從單純地擴充產能，轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。

其中，DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537億美元，預計在2026年進一步成長至613億美元，年增率達14%。NAND Flash部分，資本支出在2025年預計為211億美元，2026年預計小幅增長至222億美元，年增約5%。

在DRAM各供應商中，Micron被認為是最積極的廠商，其2026年資本支出預計達135億美元，年增23%，主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK hynix的增幅也十分顯著，2026年預計為205億美元，年增17%，以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung預計投入200億美元，年增11%，用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。

TrendForce指出，目前在無塵室空間也有不足供應的情況，檢視所有DRAM供應商的產能空間，僅有Samsung與SK hynix仍有小幅擴大產線的機會，而Micron則需要等待其美国ID1新廠落成，最快2027年才能有產出，因此任何後續上修的資本支出對2026的位元產出貢獻皆非常有限。

而在NAND Flash各供應商中，Kioxia/SanDisk和YMTC因沒有DRAM業務，被認為是最積極擴大產能以鞏固地位的廠商。Kioxia/SanDisk預計投入45億美元，年增41%，加速BiCS8生產並投資BiCS9研發。Micron 2026年目標是微幅增加NAND Flash產能並專注於G9製程和enterprise SSD業務，預計資本支出年增幅達63%。相較之下，Samsung和SK Hynix/Solidigm則將縮減或限制NAND Flash資本支出，優先將投資轉向HBM和DRAM領域。