IDC：記憶體緊缺市況將遞延至2027年第四季

根據研調機構 IDC 最新發布的全球記憶體產業報告指出，DRAM 與 NAND Flash 市場正迎來深層的結構性轉變。受限於技術製程排擠與長約綁定，DRAM 產出增速將持續落後於需求，整體市場緊繃狀況預計將一路延續至2027年第四季。2028與2029年才是全球新廠產能開出的真正轉折點，屆時供需結構可望迎來溫和的價格調節與平衡。

IDC 今日（7/8）舉辦記憶體產業前瞻研討會，由該公司半導體與新興科技研究副總裁 Soo-kyoum Kim 分析最新產業現況。

Soo-kyoum Kim 指出，自2026年起，全球記憶體的需求重心已全面由 PC、智慧型手機等消費應用，正式移轉至伺服器、HBM（高頻寬記憶體）及企業級 SSD 等 AI 基礎設施。

他繼續說，2026年因材料成本攀升，傳統消費級系統型產品的成長受到嚴重壓抑。PC 與智慧型手機今年年出貨量預估分別衰退12%與14%，PC更因材料成本暴增2至3倍，導致白牌與低階市場受創最深；智慧型手機亦呈現中低階全面低迷、僅高階旗艦款存活的兩極化格局。

高階伺服器端成為吸收高昂組件成本的唯一主要市場，預期2027年將迎來10%的正成長；主要來自 GPU 伺服器（年複合成長率42%）與次世代 GPU 晶片架構（2027年市佔率看升至38%）等 AI 需求撐起。

至於傳統消費級 SSD 在2026年面臨16%的拉貨修正與搭載容量下滑；反之，企業級 SSD 則受惠於 AI 推論需求，在2027年起將加速轉向 QLC 規格，實現9%的年增率。

在DRAM供需狀況部分，即便全球原廠預計在2027年將 DRAM 總晶圓產能調升20%，但實質產出卻面臨嚴重的結構性限制，包括先進製程遭到產能限制、先進封裝排擠等。

Soo-kyoum Kim 表示，隨著下世代晶片架構準備導入 LPDDR5 規格的 SOCAMM（系統級封裝記憶體）技術，預估到2027年，光是 HBM 與 SOCAMM 兩項先進封裝需求，就將直接囊括全球超過 30%的 DRAM 總晶圓產能。

IDC 數據模型顯示，2026至2027年間，全球 DRAM 的實際位元生產增長率將持續低於需求增速，供需缺口將隨時間推移而進一步加劇。

IDC 強調，雖然全球大廠正持續規劃建置新廠，但在2027年以前，全球實質可開出的全新晶圓廠產能極為有限。2028與2029年才是全球新廠產能開出的真正轉折點，屆時供需結構才可望迎來溫和的價格調節與平衡。