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    聯電宣布取得imec iSiPP300矽光子技術授權 2026年試產光子晶片

    2025-12-08 15:14 / 作者 戴嘉芬
    聯電積極布局矽光子,宣布與imec簽署iSiPP300矽光子技術授權協議。資料照
    晶圓代工廠聯電今日(12/8)宣布,已與先進半導體技術創新研發中心 imec 簽署技術授權協議,取得 iSiPP300矽光子製程,該製程具備共同封裝光學(Co-Packaged Optics, CPO)相容性,將加速聯電矽光子技術發展藍圖。藉由此次授權合作,聯電將推出12吋矽光子平台,以瞄準下世代高速連接應用市場。

    隨著AI數據負載日益增加,傳統銅互連面臨瓶頸,矽光子技術以光傳輸數據,正快速發展以滿足資料中心、高效能運算及網路基礎設施對超高頻寬、低延遲及高能源效率的需求。聯電將結合 imec 經驗證的12吋矽光子製程技術、加上自身在絕緣層上覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI)晶圓製程的專業,以及過往8吋矽光子量產經驗,為客戶提供高度可擴展的光子晶片(Photonic Integrated Circuits, PIC)平台。

    聯電資深副總經理洪圭鈞表示,很高興取得 imec 最先進的矽光子製程技術授權,這將加速聯電12吋矽光子平台的發展進程。聯電正與多家新客戶合作,預計在此平台上提供用於光收發器的光子晶片,並於2026及2027年展開風險試產

    洪圭鈞繼續指出,結合多元的先進封裝技術,聯電在未來系統架構將朝共封裝光學與光學I/O等更高整合度的方向邁進,為資料中心內部及跨資料中心提供高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。

    imec IC-Link副總裁Philippe Absil表示,過去十年,imec 證明了在12吋晶圓上採用先進的CMOS製程來實現矽光子,可大幅提升效能。Imec iSiPP300平台具備極為精巧且高效能的元件,包括微環型調變器,以及鍺矽(GeSi)電致吸收調變器(EAM),並搭配多樣化低損耗光纖介面及3D封裝模組。

    Philippe Absil指出,imec IC-Link長期與半導體產業密切合作,確保最先進的技術能順利導入產品製造,此次與聯電的合作正是 imec 協同創新的最佳體現,將有助於把尖端矽光子解決方案推向更廣泛市場,加速下世代運算系統的導入。

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