傳與英特爾在美國合作3奈米　聯電發重訊：無法評論

根據 AI 研究機構 FundaAI 報告指出，聯電正與英特爾合作，採用12奈米與3奈米製程技術生產晶片，相關晶片預計在英特爾位於美國亞利桑那州的晶圓廠投產。聯電今日（6/22）以重訊表示，對於媒體之臆測性報導，無法提供評論。

根據報告內容，聯電希望藉由與英特爾合作，免去龐大設備資本支出，在無需投入大量資金購置設備的情況下，在晶片先進製程領域取得一席之地。英特爾則在執行長陳立武領導下，力圖在晶圓代工產業與台積電競爭。

聯電今日中午發布重訊指出，「本公司對於媒體之臆測性報導，無法提供評論。有關本公司財務、業務資訊，皆以公開資訊觀測站公告為準」。

聯電執行長王石5月底在股東會表示，與英特爾於美國合作12奈米 FinFET 進展順利，目前正在亞利桑那廠區進行驗證，預計2027年量產。

聯電財務長劉啟東亦曾於上季法說會指出，與英特爾12奈米專案合作進度順利，首波應用領域將鎖定數位電視、Wi-Fi 連接及高速介面產品；未來不排除基於客戶需求擴展至其他衍生製程。