鴻海研究院。 資料照
鴻海研究院半導體研究所最新兩項前瞻性研究成果再獲肯定,包括應用於AI伺服器的單晶片整合電路關鍵技術,以及AI伺服器所需的高效電源控制技術領域,同時獲得國際功率半導體頂級會議IEEE ISPSD 2025 《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》接受並且於今年六月初在日本熊本市發表。
鴻海研究院半導體研究所郭浩中所長與蕭逸楷博士與陽明交通大學及中央大學合作,成功開發出基於半導體所自主研發的碳化矽製程,應用於AI伺服器的單晶片整合電路關鍵技術,克服傳統矽基電路在高溫(超過150°C)下效能衰減限制。研究團隊亦在AI伺服器所需的高效電源控制技術領域,開發出一款整合 Burst Mode 控制與 Soft-Start 功能的 LLC 諧振轉換器控制器,將可有效降低輕載功耗並提升系統啟動穩定性。
鴻海研究院在導入AI加速碳化矽技術開發,建立AI for Semiconductor的基礎後,進一步與陽明交通大學吳添立副教授、陳柏宏教授、國立中央大學杜長慶副教授展開跨校前瞻技術研究,結合鴻揚半導體碳化矽製程代工平台,成功開發出基於半導體所自主研發的碳化矽製程,可應用於極端環境的單晶片整合電路技術,以及可提升AI伺服器效能的LLC 控制器技術,實踐Semiconductor for AI的夢想。