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    英飛凌大馬新廠一期啟用 全球最大碳化矽功率半導體晶圓廠

    2024-08-09 08:39 / 作者 陳俐妏
    英飛凌大馬新廠一期啟用 全球最大碳化矽功率半導體晶圓廠。資料照
    低碳化趨勢推動功率半導體的市場需求,英飛凌宣布馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後,該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽(SiC)功率半導體晶圓廠。新廠的一期建設將創造900個高價值就業機會。投資金額達50億歐元的二期建設將建成全球最大且最高效的8 吋碳化矽功率半導體晶圓廠。整項計畫將創造多達4000個就業機會。

    新廠一期建設的投資額為20億歐元,將專注於碳化矽功率半導體的生產,並涵蓋氮化鎵(GaN)的磊晶製程。碳化矽半導體因其能更高效率地轉換電力並實現體積更小的設計,為高功率應用帶來了革新。碳化矽半導體提高了電動車、快速充電樁、軌道列車、再生能源系統和AI資料中心的效率。

    英飛凌執行長 Jochen Hanebeck表示,碳化矽等創新技術的新一代功率半導體是實現低碳化和氣候保護的絕對先決條件。英飛凌技術提高了電動汽車、太陽能和風能系統以及AI資料中心等普遍應用的能源效率。在居林的投資對客戶具有極大的吸引力,並且透過預付款項來支持這項計畫,這也提升了綠色轉型所需關鍵元件的供應鏈韌性

    英飛凌已獲得總價值約50億歐元的design-win 訂單,並從現有和新客戶獲得約10億歐元的預付款,用於居林3廠 (Kulim 3) 的持續擴建。值得注意的是,這些 design-win 訂單包括來自六家車廠以及再生能源和工業領域的客戶。

    居林3廠將與英飛凌在奧地利菲拉赫 (Villach) 的生產基地緊密連結,後者是英飛凌功率半導體的全球能力中心。英飛凌已於2023年提高了菲拉赫工廠在 SiC和GaN功率半導體方面的產能。兩座生產基地緊密結合,將作為寬能隙技術的「虛擬協同工廠」 (One virtual fab),共享技術和製程,並以此實現快速量產以及平穩高效的運營。
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